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2SK3116B-S19-AY

更新时间： 2024-10-02 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, MP-25, 3 PIN

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2SK3116B-S19-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, MP-25, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	37.5 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7.5 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3116B-S19-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3116B

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3116B is N-channel MOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3116B-S19-AY ^Note

2SK3116B-ZK-E1-AY ^Note

TO-220AB(MP-25)

TO-263(MP-25ZK)

Note Pb-free (This product dose not contain Pb in

External electrode.)

FEATURES

• Low gate charge

Q^G= 22 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance

(TO-220AB)

R^DS(on)= 1.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.75 A)

• Avalanche capability ratings

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

PT1

600

±30

±7.5

±30

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

1.5

PT2

(TO-263)

T^ch

150

°C

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

7.5

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Diode Recovery dv/dt ^Note3

I^AS

E^AS

37.5

3.5

V/ns

dv/dt

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω , VGS = 20 → 0 V

3. I^F≤ 3.0 A, Vclamp = 600 V, di/dt ≤ 100 A/μs, TA = 25°C

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18068EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2006 NS CP (K)

Printed in Japan

2006

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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2SK3116B-ZK-E1-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3116-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3116-Z	RENESAS	获取价格	2SK3116-Z
2SK3116-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3116-Z-E2-AZ
2SK3116-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3116-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3116-ZJ-E1-AZ
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