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2SK3108-AZ

更新时间： 2024-01-30 06:53:16

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日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
8页	68K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK3108-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	51 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3108-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3108

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3108 is N channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

and designed for high voltage applications such as DC/DC

converter.

PART NUMBER

2SK3108

PACKAGE

Isolated TO-220

FEATURES

•Gate voltage rating ±30 V

•Low on-state resistance

R^DS(on)= 0.4 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 4.0 A)

•Low input capacitance

C^iss= 400 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

•Avalanche capability rated

•Built-in gate protection diode

•Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

V^DSS

V^GSS

200

±30

Drain Current(DC) (T^C= 25°C)

Drain Current(pulse) ^Note1

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±8.0

±24

2.0

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

P^T2

Channel Temperature

T^ch

T^stg

I^AS

150

−55 to +150

8.0

°C

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Note1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

E^AS

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 100 V, R^G= 25 Ω , V^GS= 20 V→0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D13331EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published May 2001 NS CP (K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1998,2000

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3108-AZ相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3109	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3109	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3109	TYSEMI	获取价格	Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 0.4 MAX. (VGS= 10 V, ID = 5.0
2SK3109-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3109-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3109-AZ
2SK3109-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3109-Z	RENESAS	获取价格	2SK3109-Z
2SK3109-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3109-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3109-ZJ-E1-AZ
2SK311	HITACHI	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING)

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