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2SK3110

更新时间： 2024-02-16 16:32:03
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日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
8页 69K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3110 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.45
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：98 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

2SK3110 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3110  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
ORDERING INFORMATION  
The 2SK3110 is N channel MOS FET device that features a  
low on-state resistance and excellent switching characteristics,  
and designed for high voltage applications such as DC/DC  
converter, actuator driver.  
PART NUMBER  
2SK3110  
PACKAGE  
Isolated TO-220  
FEATURES  
•Gate voltage rating ±30 V  
•Low on-state resistance  
DS(on)  
R
GS  
D
= 180 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 7.0 A)  
•Low input capacitance  
iss  
C
DS  
GS  
= 1000 pF TYP. (V = 10 V, V = 0 V)  
•Built-in gate protection diode  
•Avalanche capability rated  
•Isolated TO-220 package  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (TA = 25°C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
200  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
±30  
C
D(DC)  
D(pulse)  
T1  
Drain Current(DC) (T = 25°C)  
I
I
±14  
±42  
2.0  
35  
A
A
Drain Current(pulse) Note1  
A
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
P
W
W
C
T2  
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
ch  
Channel Temperature  
T
150  
−55 to +150  
14  
°C  
°C  
A
stg  
Storage Temperature  
T
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
Note1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %  
AS  
I
AS  
E
98  
mJ  
2. Starting Tch = 25°C, VDD = 100 V, RG = 25 Ω , VGS = 20 V→0 V  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D13333EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published January 2000 NS CP (K)  
Printed in Japan  
The mark ★ shows major revised points.  
1998,1999, 2000  
©
12345678

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与2SK3110相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3111 NEC

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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3111 KEXIN

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 		MOS Field Effect Transistor
2SK3111 TYSEMI

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 		Gate voltage rating -30 V Avalanche capability rated Surface mount device available
2SK3111 RENESAS

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2SK3112 TYSEMI

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 		Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX.

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