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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3112 | TYSEMI |
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Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX. |
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| 2SK3112 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3112 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3112S | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-262AA |
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| 2SK3112-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3112-S-AZ | RENESAS |
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2SK3112-S-AZ |
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| 2SK3112-Z-E1-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Switching N Channel MOSFET, MP-25Z, /Embossed Tape |
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| 2SK3112ZJ | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-263AB |
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| 2SK3112-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3112-ZJ-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3112-ZJ-AZ |
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