2SK3114

更新时间： 2024-02-13 20:28:17

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

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2SK3114 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-45F	包装说明：	MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	10.7 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3114 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3114

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3114 is N-channel DMOS FET device that features a

low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3114

Isolated TO-220

FEATURES

★

(Isolated TO-220)

• Low on-state resistance:

R^DS(on)= 2.2 Ω MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 2.0 A)

• Low gate charge:

Q^G= 15 nC TYP. (V^DD= 450 V, V^GS= 10 V, I^D= 4.0 A)

• Gate voltage rating: ±30 V

• Avalanche capability ratings

• Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

600

±30

±4.0

±16

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

4.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

10.7

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published January 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13337EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3114-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3114B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3114-S12-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3114-S12-AZ
2SK3115	RENESAS	获取价格	6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
2SK3115	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3115B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3115-S12-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3115-S12-AZ
2SK3115-S17-AY	RENESAS	获取价格	2SK3115-S17-AY
2SK3116	RENESAS	获取价格	7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3116	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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