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2SK3114B-S17-AY

更新时间： 2024-01-29 18:54:45

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	179K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220, MP-45F, 3 PIN

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2SK3114B-S17-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.45
雪崩能效等级（Eas）：	10.7 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	4 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK3114B-S17-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3114B

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

PACKAGE

The 2SK3114B is N-channel MOS FET device that features a low

gate charge and excellent switching characteristics, and designed

for high voltage applications such as switching power supply, AC

adapter.

2SK3114B-S17-AY ^Note

Isolated TO-220

Note Pb-free (This product does not contain Pb in

External electrode.)

FEATURES

• Low on-state resistance

(Isolated TO-220)

R^DS(on)= 2.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

• Low gate charge

Q^G= 13.6 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 4.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

• Isolated TO-220 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

600

±30

±4.0

±16

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

I^AS

−55 to +150

4.0

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

E^AS

10.7

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D18062EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2006

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3114-S12-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3114-S12-AZ
2SK3115	RENESAS	获取价格	6A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN
2SK3115	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3115B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3115-S12-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3115-S12-AZ
2SK3115-S17-AY	RENESAS	获取价格	2SK3115-S17-AY
2SK3116	RENESAS	获取价格	7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3116	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3116	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3116	TYSEMI	获取价格	Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V)

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