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2SK3115

更新时间： 2024-02-09 14:04:25
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日电电子 - NEC 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3115 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.46雪崩能效等级（Eas）：24 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：1.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SK3115 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3115  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
The 2SK3115 is N-Channel DMOS FET device that features a low gate charge and excellent switching haracteristics, and  
designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.  
ORDERING INFORMATION  
FEATURES  
• Low gate charge  
PART NUMBER  
PACKAGE  
G
DD  
GS  
D
Q = 26 nC TYP. (V = 450 V, V = 10 V, I = 6.0 A)  
2SK3115  
Isolated TO-220  
(Isolated TO-220)  
• Gate voltage rating ±30 V  
• Low on-state resistance  
★
DS(on)  
GS  
D
R
= 1.2 Ω MAX. (V = 10 V, I = 3.0 A)  
• Avalanche capability ratings  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
600  
±30  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
C
D(DC)  
Drain Current (DC) (T = 25°C)  
I
±6.0  
±24  
A
Drain Current (pulse) Note1  
D(pulse)  
I
A
A
T1  
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
2.0  
W
W
°C  
°C  
A
C
T2  
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
35  
ch  
T
Channel Temperature  
150  
stg  
Storage Temperature  
T
−55 to +150  
6.0  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
AS  
I
AS  
E
24  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Starting Tch = 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D13338EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published January 2001 NS CP (K)  
Printed in Japan  
The mark ★ shows major revised points.  
1998, 2001  
©
12345678

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与2SK3115相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3115B-S17-AY NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3115-S12-AZ RENESAS

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 		2SK3115-S12-AZ
2SK3115-S17-AY RENESAS

获取价格

 		2SK3115-S17-AY
2SK3116 RENESAS

获取价格

 		7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3116 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
2SK3116 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3116 TYSEMI

获取价格

 		Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V)
2SK3116(0)-Z-E1-AZ RENESAS

获取价格

 		Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25Z, /Embossed Tape
2SK3116-AZ RENESAS

获取价格

 		Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25, /Bag
2SK3116B NEC

获取价格

 		7.5A600V

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