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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.46 | 雪崩能效等级（Eas）： | 24 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3115B-S17-AY | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK3115-S12-AZ | RENESAS |
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2SK3115-S12-AZ |
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| 2SK3115-S17-AY | RENESAS |
获取价格 |
2SK3115-S17-AY |
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| 2SK3116 | RENESAS |
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7.5A, 600V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SK3116 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK3116 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3116 | TYSEMI |
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Low gate charge QG = 26 nC TYP. (ID = 7.5 A, VDD = 450 V, VGS = 10 V) |
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| 2SK3116(0)-Z-E1-AZ | RENESAS |
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Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25Z, /Embossed Tape |
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| 2SK3116-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25, /Bag |
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| 2SK3116B | NEC |
获取价格 |
7.5A600V |
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