生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.25 |
其他特性: | AVALANCHE ENERGY RATED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 2 A | 最大漏源导通电阻: | 4.4 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3113(0)-Z-E1-AZ | RENESAS |
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Switching N-Channel Power Mosfet, MP-3Z, /Embossed Tape |
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2SK3113-AY | RENESAS |
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2SK3113-AY |
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2SK3113B | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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2SK3113B(1)-S27-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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2SK3113B-S15-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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2SK3113B-ZK-E1-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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2SK3113B-ZK-E2-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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2SK3113-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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2SK3113-Z-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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2SK3113-Z-E1-AY | RENESAS |
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2SK3113-Z-E1-AY |
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