2SK3113B

更新时间： 2024-02-13 10:50:47

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描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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2SK3113B 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	4.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3113B 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3113B

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

• Low gate charge

Q^G= 7.9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

<R>

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

PACKING

Tube 70 p/tube

Tube 75 p/tube

PACKAGE

2SK3113B-S15-AY ^Note

2SK3113B(1)-S27-AY ^Note

2SK3113B-ZK-E1-AY ^Note

2SK3113B-ZK-E2-AY ^Note

TO-251 (MP-3-a) typ. 0.39 g

TO-251 (MP-3-b) typ. 0.34 g

Pure Sn (Tin)

Tape 2500 p/reel

TO-252 (MP-3ZK) typ. 0.27 g

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

(TO-251)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

600

±30

±2.0

±8.0

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

Channel Temperature

°C

(TO-252)

P^T2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

I^AS

–55 to +150

°C

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

2.0

2.7

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on glass epoxy board of 40 mm × 40 mm × 1.6 mm

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

2006

Document No. D18061EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published June 2007 NS

Printed in Japan

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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