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2SK3113

更新时间： 2024-01-19 14:18:56
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科信 - KEXIN /
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1页 45K
描述
MOS Field Effect Transistor

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2SK3113 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.25
其他特性：AVALANCHE ENERGY RATED外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：4.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3113 数据手册

  
SMD Type  
MOSFET  
MOS Field Effect Transistor  
2SK3113  
Features  
TO-252  
Unit: mm  
Low on-state resistance  
+0.15  
-0.15  
+0.1  
2.30  
-0.1  
6.50  
RDS(on) = 4.4  
MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)  
+0.2  
5.30  
-0.2  
+0.8  
0.50  
-0.7  
Low gate charge  
QG = 9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)  
Gate voltage rating 30 V  
Avalanche capability ratings  
0.127  
max  
+0.1  
0.80  
-0.1  
+0.1  
0.60  
-0.1  
2.3  
4.60  
1 Gate  
+0.15  
-0.15  
2 Drain  
3 Source  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
600  
Unit  
V
Gate to source voltage  
V
30  
A
2.0  
Drain current  
Idp *  
A
8.0  
20  
Power dissipation  
TC=25  
TA=25  
PD  
W
1.0  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
-55 to +150  
* PW 10 s,Duty Cycle 1%  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Drain cut-off current  
Gate leakage current  
Gate to source cut off voltage  
Forward transfer admittance  
Drain to source on-state resistance  
Input capacitance  
Symbol  
Testconditons  
VDS=600V,VGS=0  
Min  
Typ  
Max  
100  
10  
Unit  
A
IDSS  
IGSS  
VGS(off)  
Yfs  
VGS= 30V,VDS=0  
VDS=10V,ID=1mA  
VDS=10V,ID=1.0A  
VGS=10V,ID=1.0A  
A
2.5  
0.5  
3.5  
V
S
RDS(on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
ton  
3.3  
260  
60  
5
4.4  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDS=10V,VGS=0,f=1MHZ  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
7
Rise time  
tr  
2
ID=1.0A,VGS(on)=10V,VDD=150V,RG=10  
,RL=10  
Turn-off delay time  
toff  
22  
9
Fall time  
tf  
1
www.kexin.com.cn  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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