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2SK3111

更新时间： 2024-01-25 00:41:16

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描述
MOS Field Effect Transistor

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2SK3111 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SK3111 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Field Effect Transistor

2SK3111

TO-263

Unit: mm

Features

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Gate voltage rating 30 V

Low on-state resistance

R^DS(on)= 180m MAX. (VGS = 10 V, ID = 10A)

Low input capacitance

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

C^iss= 1000 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

Avalanche capability rated

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

Built-in gate protection diode

2 Drain

3 Source

Surface mount device available

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

200

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

Power dissipation

TC=25

T^A=25

P^D

1.5

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gate to source cut off voltage

Forward transfer admittance

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Symbol

Testconditons

VDS=200V,VGS=0

Min

Typ

Max

100

Unit

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)

Yfs

VGS= 30V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=10A

VGS=10V,ID=10A

2.5

3.0

4.5

R^DS(on)

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

120

1000

300

150

180

VDS=10V,VGS=0,f=1MHZ

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

t^r

I^D=10A,VGS(on)=10V,VDD=100V,RG=10

Turn-off delay time

t^off

Fall time

www.kexin.com.cn

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