2SK3111

更新时间： 2024-02-06 07:37:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3111 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

2SK3111 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3111

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3111 is N channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and designed for high voltage

applications such as DC/DC converter, actuator driver.

PART NUMBER

2SK3111

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3111-S

2SK3111-ZJ

TO-263

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

^DS(on)= 180 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I

• Low input capacitance

^iss= 1000 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

= 10 A)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

Drain to source voltage (V^GS= 0 V)

Gate to source voltage (V^DS= 0 V)

DSS

200

±30

VGSS

Drain current (DC) (T

= 25 °C)

D(DC)

±20

Drain current (pulse) ^Note1

Total power dissipation (T

Channel temperature

D(pulse)

±60

= 25 °C)

1.5

°C

150

Storage temperature

stg

−55 to +150

Single avalanche current ^Note2

Single avalanche energy ^Note2

100

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25 °C, V^DD= 100 V, R

= 25 Ω, V^GS= 20 V→0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

The mark ★ shows major revised points.

Document No. D13334EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2000 NS CP (K)

1998, 2000

Printed in Japan

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3111相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3111-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3111-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3111-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3111-Z-E2-AZ
2SK3111-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3111-ZJ	RENESAS	获取价格	20A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN
2SK3112	TYSEMI	获取价格	Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 110m MAX.
2SK3112	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE
2SK3112	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3112S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 25A I(D) \| TO-262AA
2SK3112-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE

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