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2SK311

更新时间: 2024-02-10 00:09:53
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管电源开关
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING)

2SK311 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.9
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):40 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

2SK311 数据手册

  

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