Datasheet > 2SK3109

2SK3109

更新时间： 2024-02-03 09:40:03

品牌	Logo	应用领域
TYSEMI		栅极
页数	文件大小	规格书
1页	183K
描述
Gate voltage rating -30 V Low on-state resistance RDS(on) = 0.4 MAX. (VGS= 10 V, ID = 5.0 A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3109 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SK3109 数据手册

SSSSMMMMDDDDD TTTTyyyypppeee

Maa

Oss

Sii

Ftt

oEo

Tss

Product specification

2SK3109

TO-263

Unit: mm

Features

+0.2

4.57

-0.2

Gate voltage rating 30 V

Low on-state resistance

+0.1

1.27

-0.1

R^DS(on)= 0.4

MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

Low input capacitance

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

C^iss= 400 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

Avalanche capability rated

Built-in gate protection diode

Surface mount device available

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

200

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.5

150

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

T^stg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gate to source cut off voltage

Forward transfer admittance

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Symbol

Testconditons

V^DS=200V,V^GS=0

Min

Typ

Max

100

Unit

I^DSS

I^GSS

V^GS(off)

Y^fs

V^GS= 30V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

V^DS=10V,I^D=5.0A

V^GS=10V,I^D=5.0A

2.5

1.5

4.5

R^DS(on)

C^iss

Coss

C^rss

t^on

0.32

400

110

0.4

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

t^r

I^D=5.0A,V^GS(on)=10V,V^DD=100V,R^G=10

Turn-off delay time

t^off

Fall time

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1of 1

4008-318-123

中文翻译

下载PDF

与2SK3109相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3109-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3109-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3109-AZ
2SK3109-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3109-Z	RENESAS	获取价格	2SK3109-Z
2SK3109-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3109-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3109-ZJ-E1-AZ
2SK311	HITACHI	获取价格	SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING)
2SK3110	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3111	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3111	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor