2SK2795DXTL

更新时间： 2024-01-17 22:05:44

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		放大器功率放大器
页数	文件大小	规格书
6页	43K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, UPAK-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK2795DXTL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	0.17 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2795DXTL 数据手册

2SK2795

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

VDSS

VGSS

Ratings

Unit

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

±6

0.17

Drain peak current

Channel dissipation

Channel temperature

Storage temperature

ID(pulse)*1

Pch*2

Tch

0.3

°C

150

Tstg

–45 to +150

Note: 1. PW ≤ 10ms, duty cycle ≤ 50 %

2. Value at Tc = 25°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Zero gate voltege drain

current

IDSS

—

µA

VDS = 10 V, VGS = 0

Gate to source leak current IGSS

—

±5.0

1.0

—

µA

VGS = ±6V, VDS = 0

ID = 1mA, VDS = 5V

VGS = 2V, VDS = 0

f = 1MHz

Gate to source cutoff voltage VGS(off) 0.3

—

Input capacitance

Output capacitance

Output Power

Ciss

Coss

Pout

—

9.5

4.5

—

VDS = 5, VGS = o

f = 1MHz

dBm

VDS = 4.7V

f =836.5MHz

Pin = 13dBm

Drain Rational

ηD

—

VDS = 4.7V

f =836.5MHz

Pin = 13dBm

Note: 3. Marking is “ DX “.

123 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与2SK2795DXTL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2795DXTR	RENESAS	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
2SK2795DXUL	HITACHI	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
2SK2796	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2796	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2796(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-251
2SK2796(L)-(1)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-251VAR
2SK2796(L)\|2SK2796(S)	ETC	获取价格
2SK2796(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252AA
2SK2796(S)-(1)	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
2SK2796(S)-(2)	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),TO-252VAR