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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 2-7B1B, SC-64, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2030LBTE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose |
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| 2SK2030LBTE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3, FET General Purpose |
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| 2SK2030TE16L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2030TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK2032 | ETC |
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| 2SK2033 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| 2SK2033 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2033 | TYSEMI |
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High input impedance. Low gate threshold voltage :Vth=0.5 to 1.5V Enhancement-Mode |
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| 2SK2033(F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59 |
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| 2SK2033_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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