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| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.27 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A | 最大漏源导通电阻： | 40 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1830(T5LNSEIK,F | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1830(TE85L) | TOSHIBA |
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2SK1830(TE85L) |
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| 2SK1830(TE85L,F) | TOSHIBA |
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.05A 3-Pin SSM T/R |
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| 2SK1830,LF(T | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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| 2SK1830_07 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS) |
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| 2SK1830TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SK1830TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Sig |
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| 2SK1831 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1831|2SK1832 | ETC |
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| 2SK1832 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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