是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | Factory Lead Time: | 16 weeks |
风险等级: | 1.46 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 1180838 |
Samacsys Pin Count: | 3 | Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical | Samacsys Footprint Name: | SC-65 |
Samacsys Released Date: | 2019-12-01 14:46:07 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 1500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A |
最大漏极电流 (ID): | 4 A | 最大漏源导通电阻: | 7 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1836 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1836|2SK1837 | ETC |
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2SK1837 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1837 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1837-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1838 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1838 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1838(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 250V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
2SK1838(L)-(1) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
2SK1838(L)|2SK1838(S) | ETC |
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