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2SK1835-E

更新时间: 2024-11-11 06:17:47
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1835-E 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:1.46Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:ReleasedSamacsys PartID:1180838
Samacsys Pin Count:3Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name:SC-65
Samacsys Released Date:2019-12-01 14:46:07Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:1500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A最大漏源导通电阻:7 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):10 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1835-E 数据手册

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2SK1835  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0978-0400  
Rev.4.00  
Jun 04, 2008  
Application  
High speed power switching  
Features  
High breakdown voltage (VDSS = 1500 V)  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZE-A  
(Package name: TO-3P)  
D
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
G
S
1
2
3
REJ03G0978-0400 Rev.4.00 Jun 04, 2008  
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