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2SK1837-E

更新时间: 2024-11-11 06:25:39
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 82K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1837-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-3PL
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:4
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.38
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.11 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1837-E 数据手册

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2SK1837  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0979-0200  
(Previous: ADE-208-1326)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZF-A  
(Package name: TO-3PL)  
D
G
1. Gate  
2. Drain (Flange)  
3. Source  
S
1
2
3
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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