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2SK1834

更新时间： 2024-01-05 01:10:28
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2SK1834 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：15 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SK1834 数据手册

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Power F-MOS FETs  
2SK1834  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 15mJ  
unit: mm  
● VGSS = ±30V guaranteed  
● High-speed switching: tf = 25ns  
● No secondary breakdown  
10.0±0.2  
5.5±0.2  
4.2±0.2  
2.7±0.2  
φ3.1±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
1.3±0.2  
1.4±0.1  
+0.2  
0.5  
–0.1  
● Switching power supply  
0.8±0.1  
2.54±0.25  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
5.08±0.5  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
1: Gate  
2: Drain  
1
2
3
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
800  
3: Source  
EIAJ: SC-67  
TOP-220 Full Pack Package (a)  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±30  
V
±2  
A
Drain current  
IDP  
±4  
A
EAS*  
15  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
40  
PD  
W
2
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 7.5mH, IL = 2A, VDD = 50V, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 640V, VGS = 0  
VGS = ±30V, VDS = 0  
ID = 1mA, VDS = 0  
VDS = 25V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 1A  
VDS = 25V, ID = 1A  
IDR = 2A, VGS = 0  
min  
typ  
max  
0.1  
Unit  
mA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
IGSS  
±1  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
800  
2
Gate threshold voltage  
Vth  
5
7
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
4.8  
1.1  
Ω
0.7  
S
−1.3  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
350  
60  
25  
35  
25  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time  
ton  
VGS = 10V, ID = 1A  
Fall time  
tf  
ns  
VDD = 200V, RL = 200Ω  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
td(off)  
Rth(ch-c)  
ns  
3.125  
°C/W  
1
123

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