生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.95 | 风险等级: | 5.68 |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.05 A | 最大漏源导通电阻: | 40 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1831 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1831|2SK1832 | ETC |
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2SK1832 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1832 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1832-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1833 | ETC |
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2SK1834 | ETC |
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2SK1835 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1835 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1835-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |