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2SK1826

更新时间: 2024-11-10 22:52:51
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东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
4页 200K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH APPLICATIONS)

2SK1826 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-23
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.05 A最大漏极电流 (ID):0.05 A
最大漏源导通电阻:50 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-236JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):0.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SK1826 数据手册

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