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2SK1070PIDUL

更新时间： 2024-02-23 11:54:36

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	58K
描述
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3

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技术参数
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2SK1070PIDUL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.47	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.05 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON

2SK1070PIDUL 数据手册

2SK1070

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Min

—

Typ

—

Max

–10

—

Unit

Test conditions

Gate cutoff current

I_GSS

V_GS= –15 V, V_DS= 0

Gate to source breakdown voltage

Drain current

V_(BR)GSS

–22

I_G= –10 µA, V_DS= 0

I_DSS

V_DS= 5 V, V_GS= 0, Pulse test

V_DS= 5 V, I_D= 10 µA

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

Input capacitance

V_GS(off)

|y_fs|

–2.5

—

V_DS= 5 V, V_GS= 0, f = 1 kHz

V_DS= 5 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Ciss

—

Notes: 1. The 2SK1070 is grouped by I_DSSas follows.

Grade

Mark

I_DSS

PIC

PID

PIE

12 to 22

18 to 30

27 to 40

Main Characteristics

Maximum Channel Dissipation Curve

Typical Output Characteristics

150

100

150

Ambient Temperature Ta (ºC)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

Typical Transfer Characteristics

100

V_DS= 5 V

f = 1 kHz

1.0

0.1

–1.25 –1.0 –0.75 –0.5 –0.25

0.1

1.0

100

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(mA)

Rev.2.00, Mar.14.2005, page 2 of 4

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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