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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | SC-65, TO-3P, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.46 | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1058 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1058 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1058-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1059 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 60V, 0.22ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK1059-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1059-Z | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SK1059-Z | NEC |
获取价格 |
5A, 60V, 0.135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
|
| 2SK1059-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK105E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
|
| 2SK105F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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