5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 18 pF | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1062TE85LF | TOSHIBA |
获取价格 |
High Speed Switching Applications |
|
| 2SK1062TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, FET General Purpose |
|
| 2SK1063 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-3 |
|
| 2SK10639 | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK1063M | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK1064 | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK1065 | SANYO |
获取价格 |
High-Frequency General-Purpose Amp Applications |
|
| 2SK1065-3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23VAR |
|
| 2SK1065-4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | SOT-23VAR |
|
| 2SK1065-5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SOT-23VAR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
