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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 16 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.03 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.03 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1067-4 | ONSEMI | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,16V V(BR)DSS,30MA I(D),SOT-23VAR |
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| 2SK1067-5 | ONSEMI | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,16V V(BR)DSS,30MA I(D),SOT-23VAR |
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| 2SK1067M | ETC | MOSFETs |
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| 2SK1068 | SANYO | Impedance Conversion Applications |
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| 2SK1068-10 | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 30UA I(DSS) | SOT-23 |
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| 2SK1068-11 | ETC | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 60UA I(DSS) | SOT-23 |
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