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2SK1069 PDF预览

2SK1069

更新时间： 2024-02-16 06:29:22

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		放大器
页数	文件大小	规格书
3页	88K
描述
Low-Frequency General-Purpose Amp Applications

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2SK1069 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.19	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK1069 数据手册

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与2SK1069相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1069-3	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 1.2MA I(DSS) \| SOT-23VAR	获取价格
2SK1069-4	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 2.5MA I(DSS) \| SOT-23VAR	获取价格
2SK1069-5	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 5MA I(DSS) \| SOT-23VAR	获取价格
2SK1070	HITACHI	Silicon N-Channel Junction FET	获取价格
2SK1070	RENESAS	Silicon N-Channel Junction FET	获取价格
2SK1070_11	RENESAS	Silicon N-Channel Junction FET	获取价格

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