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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1059-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1059-Z | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK1059-Z | NEC |
获取价格 |
5A, 60V, 0.135ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, MP-3, SC-63, 3 PIN |
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| 2SK1059-Z-T1 | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK105E | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK105F | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK105J | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK1060 | RENESAS |
获取价格 |
5A, 100V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK1060-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK1060-AZ |
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| 2SK1060-Z | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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