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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ549S-E
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2SJ549S-E

更新时间： 2024-01-09 18:43:00
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 97K
描述
12A, 60V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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2SJ549S-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：LDPAK(S)-(1)包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.23 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ549S-E 数据手册

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2SJ549(L), 2SJ549(S)  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
20  
10  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
Pulse Test  
Tc = –25°C  
5
–2 A  
ID = –5 A  
25°C  
2
1
VGS = –4 V  
–1 A  
75°C  
–5 A  
0.5  
–1 A, –2 A  
VDS = –10 V  
Pulse Test  
–10 V  
40  
0.2  
–0.1 –0.2  
–40  
0
80  
120  
160  
–0.5 –1  
–2  
–5 –10  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body-Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
500  
200  
2000  
1000  
500  
Pulse Test  
Ciss  
Crss  
100  
50  
200  
100  
50  
20  
Coss  
10  
5
di / dt = 50 A / µs  
VGS = 0, Ta = 25°C  
20  
10  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
–0.1 –0.2  
–0.5 –1  
–2 –5 –10  
0
–10  
–20  
–30  
–40  
–50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Dynamic Input Characteristics  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Switching Characteristics  
0
–20  
1000  
300  
0
VDD = –10 V  
–25 V  
–50 V  
–4  
t
d(off)  
100  
30  
t
f
–40  
–8  
VGS  
VDS  
t
r
–60  
–12  
–16  
–20  
t
d(on)  
VDD = –50 V  
–25 V  
–10 V  
10  
–80  
3
1
VGS = –10 V, VDD = –30 V  
PW = 5 µs, duty ≤ 1 %  
ID = –12 A  
–100  
0
8
16  
24  
32  
40  
–0.1 –0.2 –0.5 –1  
–2  
–5  
–10  
Gate Charge Qg (nc)  
Drain Current ID (A)  
Rev.4.00 Jun 05, 2006 page 4 of 8  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SJ549STL-E RENESAS

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 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ55 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3
2SJ550 HITACHI

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 		Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SJ550 RENESAS

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 		Silicon P Channel MOS FET
2SJ550(L) HITACHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.155ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
2SJ550(L) RENESAS

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 		0.155ohm, POWER, FET, LDPAK-3
2SJ550(L)|2SJ550(S) ETC

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2SJ550(S) HITACHI

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