2SJ549S-E

更新时间： 2024-02-22 05:38:11

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	97K
描述
12A, 60V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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技术参数
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2SJ549S-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ549S-E 数据手册

2SJ549(L), 2SJ549(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Maximum Avalanche Energy vs.

Channel Temperature Derating

–10

–8

–6

–4

–2

I_AP= –12 A

V_DD= –25 V

duty < 0.1 %

Rg ≥ 50 Ω

–10 V

–5 V

V_GS= 0, 5 V

Pulse Test

–1.2 –1.6 –2.0

–0.4

–0.8

100

125

150

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Channel Temperature Tch (°C)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

θch – c (t) = γ s (t) • θch – c

θch – c = 2.5°C/W, Tc = 25°C

D =

P_DM

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Avalanche Test Circuit

Avalanche Waveform

V_DSS

E_AR

• L • I_AP•

V_DS

Monitor

V_DSS– V_DD

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

–15 V

50 Ω

V_DD

Rev.4.00 Jun 05, 2006 page 5 of 8

1 2 3 456 7 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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