2SJ549S-E

更新时间： 2024-02-13 18:54:53

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	97K
描述
12A, 60V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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2SJ549S-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ549S-E 数据手册

2SJ549(L), 2SJ549(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–100

–30

10 µs

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R_{DS (on)}

–0.3

–0.1

Ta = 25°C

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Output Characteristics

–10 V

Typical Transfer Characteristics

–10

–8

–6

–4

–2

–10

–8

–6

–4

–2

V_DS= –10 V

Pulse Test

–3.5 V

–5 V

–4 V

Pulse Test

–3 V

25°C

–2.5 V

Tc = 75°C

V_GS= –2 V

–25°C

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

–1.0

Pulse Test

0.5

–0.8

–0.6

–0.4

–0.2

V_GS= –4 V

0.2

0.1

I_D= –5 A

–10 V

0.05

–2 A

–1 A

0.02

0.01

–4

–8

–12

–16

–20

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.4.00 Jun 05, 2006 page 3 of 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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