是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
零件包装代码: | LDPAK(L) | 包装说明: | LDPAK-3 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.23 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.155 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN BISMUTH | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SJ550L | HITACHI |
功能相似 |
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SJ550S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ550S | HITACHI |
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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SJ550S-E | RENESAS |
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15A, 60V, 0.155ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | |
2SJ550STL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ551 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ551 | HITACHI |
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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SJ551(L) | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 | |
2SJ551(L)|2SJ551(S) | ETC |
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2SJ551(S) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.11ohm, LDPAK-3 | |
2SJ551(S)-(1) | HITACHI |
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Transistor |