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2SJ552(S)-(1)

更新时间： 2024-02-08 08:50:59

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
12页	60K
描述
Transistor

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2SJ552(S)-(1) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(1) 数据手册

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2SJ552(L), 2SJ552(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-651B (Z)

3rd. Edition

Jul. 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.042Ω typ.

•

•

•

Low drive current.

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

LDPAK

4

4

D

1

2

3

G

1

2

3

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...12

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与2SJ552(S)-(1)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ552(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB	获取价格
2SJ552L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格

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