2SJ555

更新时间： 2024-02-29 10:30:08

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日立 - HITACHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
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描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ555 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	Samacsys Confidence：	3
Samacsys Status：	Released	2D Presentation：	https://componentsearchengine.com/2D/0T/1609292.1.1.png
Schematic Symbol：	https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1609292	PCB Footprint：	https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1609292
3D View：	https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1609292	Samacsys PartID：	1609292
Samacsys Image：	https://componentsearchengine.com/Images/9/2SJ555-E.jpg	Samacsys Thumbnail Image：	https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/2SJ555-E.jpg
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	TO-3P/TO-3PV
Samacsys Released Date：	2020-05-21 07:26:13	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ555 数据手册

2SJ555

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-634A (Z)

2nd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.017Ω typ.

•

Low drive current.

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

TO–3P

1. Gate

2. Drain

(Flange)

3. Source

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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