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2SJ555

更新时间： 2024-01-19 20:29:13
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
9页 56K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ555 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：Released2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/1609292.1.1.png
Schematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1609292PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1609292
3D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1609292Samacsys PartID：1609292
Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/2SJ555-E.jpgSamacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/2SJ555-E.jpg
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：Transistor Outline, VerticalSamacsys Footprint Name：TO-3P/TO-3PV
Samacsys Released Date：2020-05-21 07:26:13Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：60 A最大漏源导通电阻：0.036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ555 数据手册

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2SJ555  
Drain to Source Saturation Voltage vs.  
Gate to Source Voltage  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Drain Current  
100  
–2  
–1.6  
–1.2  
–0.8  
–0.4  
Pulse Test  
50  
20  
V
GS  
= –4 V  
–10 V  
10  
5
I
= –50 A  
D
–20 A  
–10 A  
2
1
Pulse Test  
–5 A  
–1000  
–30 –100 –300  
Drain Current (A)  
–10  
0
–4  
–8  
–12  
–16  
–20  
–1  
–3  
Gate to Source Voltage  
V
(V)  
I
GS  
D
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
100  
50  
Pulse Test  
I
= –50 A  
D
Tc = –25 °C  
25 °C  
30  
10  
–20 A  
–50 A  
40  
30  
20  
10  
V
= –4 V  
GS  
–10 A  
3
1
75 °C  
–10,–20A  
V
= –10 V  
40  
GS  
0
0.3  
0.1  
V
= –10 V  
DS  
Pulse Test  
0
–40  
–0.1  
–1  
–3  
–10 –30 –100  
–0.3  
80  
120  
160  
Case Temperature Tc (°C)  
Drain Current  
I
(A)  
D
4
1234567...9

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