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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 零件包装代码： | SC-96 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.29 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ557(0)-T1B-AT | RENESAS | Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape |
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| 2SJ557A | NEC | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ557-A | NEC | 暂无描述 |
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| 2SJ557A-T1B-A | RENESAS | Pch Single Power MOSFET -30V -2.5A 100mohm TMM/SC-96 Automotive |
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| 2SJ557A-T2B-A | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-346 |
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| 2SJ557A-T2B-AT | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-346 |
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