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2SJ557

更新时间： 2024-02-16 18:05:56

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瑞萨 - RENESAS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	222K
描述
2500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-96, 3 PIN

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2SJ557 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-96
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ557 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SJ557

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR SWITCHING

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

The 2SJ557 is a switching device which can be driven directly

by a 4 V power source.

+0.1

–0.05

0.4

+0.1

–0.06

0.16

The 2SJ557 features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and is suitable for applications such

as power switch of portable machine and so on.

0 to 0.1

FEATURES

• Can be driven by a 4 V power source

• Low on-state resistance

0.65

0.95 0.95

1.9

R^DS(on)1= 155 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –1.0 A)

R^DS(on)2= 255 mΩ MAX. (V^GS= –4.5 V, I^D= –1.0 A)

R^DS(on)3= 290 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –1.0 A)

0.9 to 1.1

2.9 ±0.2

: Gate

ORDERING INFORMATION

2 : Source

3 : Drain

PART NUMBER

2SJ557

PACKAGE

EQUIVALENT CIRCUIT

★

SC-96 (Mini Mold Thin Type)

Drain

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Body

Diode

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation ^Note2

Channel Temperature

Storage Temperature

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

–30

–20 / +5

±2.5

±10

Gate

Protection

Diode

Source

0.2

°C

Marking: XB

P^T2

1.25

150

T^ch

T^stg

–55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on FR-4 Board, t ≤ 5 sec.

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published May 2001 NS CP(K)

Printed in Japan

D13292EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark ★ shows major revised points.

1998, 1999

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ557(0)-T1B-AT	RENESAS	Switching P-Channel Power MOSFET, TMM, /Embossed Tape	获取价格
2SJ557A	NEC	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ557-A	NEC	暂无描述	获取价格
2SJ557A-T1B-A	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -30V -2.5A 100mohm TMM/SC-96 Automotive	获取价格
2SJ557A-T2B-A	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-346	获取价格
2SJ557A-T2B-AT	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,2.5A I(D),SOT-346	获取价格

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