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2SJ557

更新时间： 2024-01-17 19:36:18

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瑞萨 - RENESAS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	222K
描述
2500mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SC-96, 3 PIN

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技术参数
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2SJ557 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-96
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.29 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ557 数据手册

2SJ557

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

500

400

300

250

200

150

GS = −4.5 V

VGS = −10 V

= 125˚C

75˚C

= 125˚C

25˚C

75˚C

25˚C

−25˚C

200

100

−25˚C

−1

- Drain Current - A

−10

−0.01

−0.1

−1

- Drain Current - A

−10

−0.01

−0.1

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

350

500

400

300

200

ID = −1.0 A

300

250

GS = −4.0 V

−4.5 V

200

−10 V

150

100

−8

−4

−12

−16

−20

−50

100

150

Tch - Channel Temperature -˚C

VGS - Gate to Source Voltage - V

CAPACITANCE vs. DRAIN TO

SOURCE VOLTAGE

SWITCHING CHARACTERISTICS

1000

f = 1MHz

GS = 0V

d(off)

Ciss

100

oss

d(on)

Crss

DD = −10 V

on) = −10 V

= 10 Ω

(

−1

−10

DS - Drain to Source Voltage - V

−100

−0.1

−10

- Drain Current - A

Data Sheet D13292EJ2V0DS

1...3 4 567 8 9 10

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