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2SJ556

更新时间： 2024-01-27 09:18:54
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
9页 106K
描述
0.055ohm, POWER, FET, TO-3PFM, 3 PIN

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2SJ556 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PFM
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
最大漏源导通电阻：0.055 ΩJESD-30 代码：R-PSIP-T3
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

2SJ556 数据手册

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2SJ556  
Silicon P Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-645A (Z)  
2nd. Edition  
Jun 1998  
Features  
·
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.028Wtyp.  
·
·
·
Low drive current.  
4V gate drive devices.  
High speed switching.  
Outline  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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