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2SJ552(S)-(1)

更新时间： 2024-02-02 09:45:21

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瑞萨 - RENESAS		/
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12页	60K
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Transistor

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2SJ552(S)-(1) 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ552(S)-(1) 数据手册

2SJ552(L),2SJ552(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

–1000

–300

10 µs

–100

–30

–10

–3

–1

Operation in

this area is

limited by R

DS(on)

–3

–0.3

–0.1

Ta = 25 °C

100

150

200

–0.1 –0.3

–1

–10 –30 –100

(V)

Drain to Source Voltage

Case Temperature Tc (°C)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

–50

–40

–30

–20

–10

–50

–40

–30

–20

–10

–4.5 V

–10 V

–8 V

Tc = –25 °C

25 °C

= –10 V

Pulse Test

–6 V

–5 V

Pulse Test

–4 V

–3.5 V

–3 V

75 °C

= –2.5 V

–1

–2

–3

–4

(V)

–5

–2

–4

–6

–8

(V)

–10

Gate to Source Voltage

Drain to Source Voltage

1 2 345 6 7...12

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与2SJ552(S)-(1)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ552(S)-(2)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263AB	获取价格
2SJ552L	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552S	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格