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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SJ551S

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2SJ551S

更新时间： 2024-01-04 20:17:35

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
9页	58K
描述
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SJ551S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	,
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

2SJ551S 数据手册

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2SJ551(L),2SJ551(S)

Silicon P Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-647B (Z)

3rd. Edition

Jun 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.050Ω typ.

•

•

•

Low drive current.

4V gate drive devices.

High speed switching.

Outline

LDPAK

4

4

D

1

2

3

1

G

2

3

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...9

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与2SJ551S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ551S-E	RENESAS	18A, 60V, 0.11ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3	获取价格
2SJ551STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ551STR-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -18A 65mohm LDPAK(S)-(1)/TO-263	获取价格
2SJ552	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ552	HITACHI	Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SJ552(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-262AA	获取价格

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