2SJ549S-E

更新时间： 2024-02-14 04:25:30

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	97K
描述
12A, 60V, 0.23ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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2SJ549S-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	LDPAK(S)-(1)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.23 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ549S-E 数据手册

2SJ549(L), 2SJ549(S)

Package Dimensions

Package Name

LDPAK(L)

JEITA Package Code

RENESAS Code

PRSS0004AE-A

Previous Code

MASS[Typ.]

1.40g

Unit: mm



LDPAK(L) / LDPAK(L)V

4.44 0.2

1.3 0.15

10.2 0.3

1.3 0.2

1.37 0.2

2.49 0.2

+ 0.2

0.86

– 0.1

0.76 0.1

2.54 0.5

0.4 0.1

2.54 0.5

Package Name

LDPAK(S)-(1)

JEITA Package Code

SC-83

RENESAS Code

PRSS0004AE-B

Previous Code

MASS[Typ.]

1.30g

Unit: mm

LDPAK(S)-(1) / LDPAK(S)-(1)V

4.44 0.2

7.8

6.6

10.2 0.3

1.3 0.15

2.49 0.2

+ 0.2

0.1

– 0.1

2.2

1.37 0.2

0.4 0.1

+ 0.2

– 0.1

1.3 0.2

0.86

2.54 0.5

Rev.4.00 Jun 05, 2006 page 7 of 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ549STL-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ55	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 180V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-3	获取价格
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