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2SJ418TP

更新时间： 2024-01-16 06:45:32

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
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4页	101K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-251VAR

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2SJ418TP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.92
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ418TP 数据手册

2SJ418

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

–30

±20

–8

DSS

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

GSS

PW≤10µs, duty cycle≤1%

Drain Current (Pulse)

–32

1.0

˚C

Allowable Power Dissipation

Tc=25˚C

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

150

˚C

Tstg

–55 to +150

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

–30

max

Drain-to-Source Breakdown Voltage

Zero-Gate Voltage Drain Current

Gate-to-Source Leakage Current

Cutoff Voltage

=–1mA, V =0

D GS

µA

(BR)DSS

=–30V, V =0

–100

±10

DSS

=±16V, V =0

GSS

(off)

=–10V, I =–1mA

–1.0

–2.5

| yfs |

Forward Transfer Admittance

=–10V, I =–4A

(on)1

=–4A, V =–10V

105

800

500

140

mΩ

Static Drain-to-Source On-State Resistance

(on)2

=–4A, V =–4V

145

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-ON Delay Time

Rise Time

Ciss

=–10V, f=1MHz

Coss

Crss

=–10V, f=1MHz

See specified Test Circuit

I =–8A, V =0

d(on)

Turn-OFF Delay Time

Fall Time

170

d(off)

Diode Forward Voltage

–1.0

–1.2

Marking : J418

Switching Time Test Circuit

V =—15V

—10V

I =—4A

R =3.75Ω

PW=10s

D.C.≤1%

OUT

2SJ418

P.G

50Ω

No.5298–2/4

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ418TP-FA	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-252VAR	获取价格
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