2SJ319

更新时间： 2024-02-13 13:53:30

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	87K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ319 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ319 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Package Dimensions

JEITA Package Code

RENESAS Code

Package Name

MASS[Typ.]

0.42g

Unit: mm



PRSS0004ZD-A

DPAK(L)-(1) / DPAK(L)-(1)V

6.5 0.5

5.4 0.5

2.3 0.2

0.55 0.1

1.2 0.3

1.15 0.1

0.8 0.1

0.55 0.1

2.29 0.5

JEITA Package Code

SC-63

RENESAS Code

PRSS0004ZD-C

Package Name

MASS[Typ.]

0.28g

Unit: mm

DPAK(S) / DPAK(S)V

2.3 0.2

6.5 0.5

5.4 0.5

(5.1)

0.55 0.1

(0.1)

0 – 0.25

(1.2)

0.55 0.1

1.0 Max.

0.8 0.1

2.29 0.5

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 6 of 7

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