2SJ319

更新时间： 2024-02-09 17:42:38

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	87K
描述
Silicon P Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ319 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ319 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–5

–4

–3

–2

–1

Pulse Test

–

10 V

V_GS= 0, 5 V

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Tc = 25°C

D = 1

0.5

0.3

0.1

θch – c (t) = γ s (t) • θch – c

θch – c = 6.25°C/W, Tc = 25°C

D =

P_DM

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

Switching Time Test Circuit

Waveform

Vin

Vout

Monitor

Vin Monitor

10%

D.U.T.

90%

R_L

90%

V_DD

= –30 V

Vin

–10 V

50 Ω

10%

Vout

d(on)

d(off)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 5 of 7

1 2 3 456 7 8

下载PDF

与2SJ319相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319(L)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 2.3ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3	获取价格
2SJ319(L)	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ319(L)\|2SJ319(S)	ETC		获取价格
2SJ319(S)	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ319(S)	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SJ319(S)-(1)	HITACHI	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,3A I(D),TO-252VAR	获取价格