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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-236 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ306 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ307 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ308 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ312 | TOSHIBA | P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M |
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| 2SJ312(2-10S1B) | TOSHIBA | TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ312(TO-220FL) | TOSHIBA | TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, F |
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