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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ307 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ308 | SANYO | Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ312 | TOSHIBA | P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M |
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| 2SJ312(2-10S1B) | TOSHIBA | TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ312(TO-220FL) | TOSHIBA | TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S1B, TO-220FL, 3 PIN, F |
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| 2SJ312(TO-220SM) | TOSHIBA | TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, TO-220SM, 3 PIN, F |
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