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2SJ312(2-10S1B)

更新时间： 2024-02-09 10:36:43
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 385K
描述
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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2SJ312(2-10S1B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred包装说明：LEAD FREE, 2-10S1B, 3 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.29
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.12 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SJ312(2-10S1B) 数据手册

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2SJ312  
2
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L −π−MOSIV)  
2SJ312  
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z 4-V gate drive  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 80 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 8.0 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= −100 μA (max) (V  
= −60 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = −0.8 to −2.0 V (V  
= −10 V, I = −1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−60  
−60  
V
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
GSS  
DC (Note 1)  
Pulse(Note 1)  
I
−14  
D
Drain current  
A
I
−56  
DP  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Channel temperature  
P
40  
W
°C  
°C  
D
ch  
stg  
T
150  
TOSHIBA  
2-10S1B  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
Weight: 1.5 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)  
may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the  
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability  
upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.125  
83.3  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
R
th (ch−a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device.  
Please handle with caution.  
JEDEC  
JEITA  
―
―
TOSHIBA  
2-10S2B  
Weight: 1.5 g (typ.)  
1
2009-09-29  
123456

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