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2SJ280(L)

更新时间： 2024-02-07 03:35:21

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲
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9页	50K
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TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-262AA

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2SJ280(L) 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.28	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.06 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ280(L) 数据手册

2SJ280(L), 2SJ280(S)

Avalanche Test Circuit and Waveform

V_DSS

E_AR

• L • I_AP

•

– V_DD

V_DS

Monitor

I_AP

Monitor

V_(BR)DSS

I_AP

V_DD

D.U.T

V_DS

I_D

Vin

–15 V

50Ω

V_DD

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

_C= 25°C

D = 1

1.0

0.5

0.3

0.1

0.2

θch–c (t) = γ_S(t) · θch–c

θch–c = 1.67°C/W, T_C= 25°C

P_DM

D =

0.03

0.01

1 Shot Pulse

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Vout Monitor

D.U.T

R_L

V_DD

50 Ω

Vin

–10 V

. 30 V

Waveforms

Vin

10%

90%

Vout

t_{d (on)}

10%

t_f

10%

t_r

t_{d (off)}

1...5 6 789

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与2SJ280(L)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ280(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ280(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ280(S)TR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ280L	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格
2SJ280L-E	RENESAS	Pch Single Power MOSFET -60V -30A 43mohm LDPAK(L)	获取价格
2SJ280S	HITACHI	SILICON P-CHANNEL MOS FET	获取价格